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晶圓(Wafer)清洗分為濕法清洗和干法清洗,等離子清洗屬于后者,主要是去除晶圓表面肉眼看不到的表面污染物。其清洗過程就是先將晶圓放入等離子清洗機的真空反應腔體內,然后抽取真空,達到一定真空度后通入反應氣體,這些反應氣體被電離形成等離子體與晶片表面發(fā)生化學和物理反應,生成可揮發(fā)性物質被抽走,使得晶圓表面變得清潔并具親水性。
與其他行業(yè)比較,晶圓級封裝的等離子清洗機有哪些特點呢?
4、芯片制作完成后殘余的光刻膠無法用濕式法清洗,只能通過等離子的方式進行去除,然而光刻膠較厚無法確定,所以需要去調整相應的工藝參數(shù)。